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全自動薄膜太陽電池レーザー加工装置

全自動薄膜太陽電池レーザー加工装置は、PVモジュール製造のための高精度なP1、P2、P3パターニングをサポートします。 安定したレーザー加工は、細胞の均一性、エッジ品質、および生産効率の向上に役立ちます。 ペロブスカイト薄膜太陽電池および光起電力製造ラインに適しています。

    全自動薄膜太陽電池レーザー加工装置の用途と選定ガイド

    全自動薄膜太陽電池レーザー加工装置は、安定したビーム制御、プロセスの再現性、および生産要件との確実な統合が求められる産業用レーザー加工プロジェクト向けに設計されています。ペロブスカイトレーザー生産ラインの選定にあたっては、最終的な装置構成を決定する前に、材料の種類、加工精度、自動化レベル、スループット、メンテナンスの容易性、およびアフターサービスを比較検討する必要があります。

    関連するレーザーソリューションには以下が含まれます低照度条件下におけるマルチチャンネル太陽光発電IV MPPTテストシステム屋外マルチチャンネルPVモジュール劣化試験システムマルチチャンネルPVモジュール定常状態試験システムこれらの内部参照により、ユーザーは類似のシステムを比較したり、洗浄、切断、罫書き、マーキング、溶接、太陽光発電レーザー装置の各ページ間をスムーズに移動したりすることができます。

    全自動薄膜電池レーザー加工装置

    次世代バッテリー製造のための精密工学


    構造的特徴

    当社のレーザースクライビングシステムは、最大限のスループットと信頼性を実現するために設計された革新的な3ステーション構成(ローディング/スクライビング/アンローディング)を採用しています。この装置は以下の特長を備えています。

    • 大判処理能力:最大2.4×1.2メートルのパネルに対応

    • 高度な光学システム:24ビームレーザー分割、ビーム間隔調整可能(50~500μm)

    • 管理された環境:完全密閉型のクラス1000(ISO 6)クリーンルーム対応構造

    • モジュール式アーキテクチャ:レーザー光源と光学モジュールのインターフェースを素早く交換可能

    • 高精度モーションシステム:分解能0.1μmのエンコーダを備えたリニアモーター

    振動減衰機能を備えた剛性の高いアルミニウム合金フレームにより、±5μmの位置決め精度を維持しながら、最大2m/sの速度でも安定した動作を保証します。

    Thin Film Photovoltaic Laser ScribingPerovskite Laser Scribing Equipment


    製品の利点

    優れた性能とコスト効率を実現するために設計されています。
    マルチプロセス対応:異なる材料に対応するため、IR(1064nm)、グリーン(532nm)、UV(355nm)レーザーをサポート
    インテリジェント制御システム:AIベースのプロセス最適化機能を備えた独自開発ソフトウェア
    稼働時間の向上:モジュール切り替え時間が15分未満、予測保守アラート機能付き
    超高精度アライメント:画像認識、レーザー、機械式位置決め技術を組み合わせ(再現性±3μm)
    スマートモニタリング:欠陥検出アルゴリズムとクラウドデータストレージを備えた4Kイメージング

    統合プラットフォームは、共有インフラストラクチャとメンテナンス要件の削減により、従来システムと比較して総所有コストを30%削減します。

    PV Laser Scribing Machine

    Thin Film Photovoltaic Laser Scribing


    製品用途


    高度なエネルギー貯蔵および電子機器製造に最適です。


    エネルギー貯蔵ソリューション
    ・リチウムポリマー電池用P1/P2/P3パターニング

    ・固体電池における絶縁溝の形成
    ・EVバッテリーパック用タブ溶接準備

    フレキシブルエレクトロニクス
    ・ウェアラブル機器向けの柔軟な回路絶縁
    ・RFIDアンテナのパターニング
    ・医療用センサーの製造

    太陽光発電
    ・CIGS太陽電池のセグメンテーション
    ・ペロブスカイトモジュールの相互接続
    ・透明導電性酸化物スクライビング

    特定の業界要件に対応したオプション構成。


    Perovskite Laser Scribing Equipment


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    • ロクセン と提携した場合、設備の発注から正式な生産までどのくらいの時間がかかりますか?

      全体的なスケジュールは、機器の仕様と生産ラインの規模によって異なります。スタンドアロン機器の場合、標準モデルの製造サイクルは45日で、総工期(出荷および設置を含む)は約60日です。カスタム機器の場合は、技術要件に応じてさらに30日かかります。 完全なラインソリューションについては、以下をご覧ください。 • 100MWレベルの生産ラインでは、計画、機器の製造、設置、試運転に約4か月かかります。 • GWレベルの生産ラインには約8ヶ月かかります 専任のマネージャーが円滑な連携を確保し、詳細なプロジェクトスケジュールを提供します。例:お客様の1GWペロブスカイト生産ラインは、機器製造と施設建設を並行して行うことで、予定より15日早く完成しました。
    • Locsenはペロブスカイトスタートアップ企業に適した設備とパートナーシップソリューションを提供していますか?

      ロクセン は、ペロブスカイトの新興企業向けに特別に設計された「段階的パートナーシップ プログラム」を提供しています。 初期の研究開発段階では、技術検証と製品の反復を容易にするために、必須のプロセス パッケージがバンドルされたコンパクトなパイロット規模の機器 (例: 10MW レーザー スクライビング システム) を提供します。 スケールアップ段階では、スタートアップはアップグレード特典を受けることができます。 • パイロット機器のコアモジュールは、生産ラインの機械に価値を減額して下取りすることができます。 • プロセス開発サポートや実験データの共有を含むオプションの技術協力 このプログラムにより、複数のスタートアップ企業が初期段階の投資リスクを軽減しながら、研究室からパイロット生産へとスムーズに移行できるようになりました。
    • Locsen社の装置は、さまざまなサイズのペロブスカイト太陽電池に対応できますか?サポートされる最大寸法はどれくらいですか?

      Locsen 社のレーザー機器は、サイズ互換性に優れており、10cm×10cm から 2.4m×1.2m までの範囲のペロブスカイト太陽電池を加工できます。 特大サイズの細胞処理(例:12m×2.4mの硬質基板)向けには、精度とスループットの両方を確保するために、マルチレーザーヘッド同期機能を備えたカスタマイズされたガントリー型レーザーシステムを提供しています。 • 実証済みの性能: 業界をリードするスクライビング精度 (±15μm) と均一性 (>98%) で 1.2m×0.6m のセル処理に成功 • モジュラー設計:交換可能な光学モジュールは、さまざまな厚さ(0.1〜6mm)に適応します。 • スマートキャリブレーション: AIを活用したリアルタイムビームアライメントにより基板の反りを補正
    • ロクセン はペロブスカイト太陽電池のすべての主要な製造段階に合わせてカスタマイズされたレーザー ソリューションを提供していますか?

      はい、ロクセン はペロブスカイト太陽電池の生産チェーン全体をカバーする包括的なレーザー加工ソリューションを提供しています。 P0レーザーマーキング:フィルム堆積後の細胞識別用 P1/P2/P3レーザースクライビング:精密パターン形成 • 透明導電層(P1) • ペロブスカイト活性層(P2) • 背面電極(P3) P4エッジアイソレーション:短絡を防止するためのミクロンレベルのエッジトリミング タンデムセルモジュール:マルチマテリアル層処理専用のレーザーエッチングシステム 当社の統合された機器エコシステムにより、すべてのレーザー加工要件が満たされます。 • 層間のアライメント精度≤20μm • 熱影響部を5μm以下に制御 • 研究開発からギガワット規模の生産までをサポートするモジュラープラットフォーム
    • ロクセン のツールは、バリアント ペロブスカイト配合に対してどのような組成許容範囲をサポートしていますか?

      Locsenのレーザーシステムは、多様なペロブスカイト組成に優れた適応性を発揮します。• 事前ロードされたパラメータ: レーザーレシピライブラリ内の主流の配合(例: FAPbI₃、CsPbI₃)に最適化された設定により、オペレータは即座にアクセスできます。• 研究開発サポート: 新しい組成(例: Snベースのペロブスカイト)については、当社のチームが以下を提供します: 72時間以内にカスタム波長/フルエンス校正を実施します。<1% PCE degradation post-processing • Smart Compensation: On-board spectroscopy modules monitor reflectivity in real-time, automatically adjusting: Pulse duration (20-500ns) Beam profile (Top-hat/Gaussian) Energy density (0.5-3J/cm²) Technical Highlights: ▸ Tolerance for ±15% stoichiometric variation in Pb:Sn ratios ▸ Support for 2D/3D hybrid phase patterning ▸ Non-contact processing avoids cross-contamination

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