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PCB製造用HDIマイクロビアレーザー穴あけ装置

高度なHDI基板向け50μm以下のレーザー穴あけ加工。 超高速位置決めにより、高スループット生産が可能になります。 自動フォーカス制御により、穴の品質が常に一定に保たれます。 コンパクトな設置面積で、既存のプリント基板製造ラインに適合します。

    HDIマイクロビア穴あけ装置の用途と選定ガイド

    HDIマイクロビア穴あけ装置は、安定したビーム制御、プロセスの再現性、および生産要件との確実な統合が求められる産業用レーザー加工プロジェクト向けに設計されています。レーザー統合加工装置を選定する際には、最終的な装置構成を決定する前に、材料の種類、加工精度、自動化レベル、スループット、メンテナンスの容易性、およびアフターサービスを比較検討する必要があります。

    関連するレーザーソリューションには以下が含まれます民生用電子機器レーザー穴あけ装置PCB穴あけ装置レーザー光学部品および付属品これらの内部参照により、ユーザーは類似のシステムを比較したり、洗浄、切断、罫書き、マーキング、溶接、太陽光発電レーザー装置の各ページ間をスムーズに移動したりすることができます。

    HDIマイクロビア穴あけ装置の説明

    HDIマイクロビア穴あけ装置は、高密度相互接続(HDI)基板向けに特別に設計された高精度レーザー加工システムです。高度なUVレーザー技術と高精度位置決めステージ、インテリジェント制御システムを組み合わせることで、25μmという微細なマイクロビア穴あけを実現し、5G通信機器やハイエンドスマートフォンのマザーボードに最適です。

    HDI Microvia Laser Drilling Equipment for PCB Manufacturing

    Laser PCB Drilling System

    High-Density Interconnect Driller

    システム機能 HDIマイクロビア穴あけ装置

    1. レーザーシステム:

      • 355nm UVナノ秒/ピコ秒レーザー

      • ビーム品質M²<1.3、スポットサイズ調整可能(10~50μm)

      • パルスエネルギー安定性±2%

    2. モーションシステム:

      • 高精度リニアモーターステージ

      • 位置決め精度±5μm、再現性±2μm

      • 最大加速度2m/s²

    3. 視覚システム:

      • 10メガピクセル高解像度CCDカメラ

      • ±2μmのオートフォーカス精度

      • PCB膨張補償

    4. 制御システム:

      • 産業用モーションコントローラー

      • ガーバーファイルの直接インポート

      • 自動パス最適化

    技術的利点 HDIマイクロビア穴あけ装置

    仕様

    パラメータ

    利点

    最小ビアサイズ

    25μm

    超HDI要件を満たす

    位置精度

    ±5μm

    層間の位置合わせを確実にします

    処理速度

    500穴/秒

    高い生産スループット

    壁の品質経由

    Ra<1μm

    メッキの難易度を下げる

    機器の稼働時間

    >95%

    生産の安定性を保証します


    HDI Microvia Laser Drilling Equipment for PCB Manufacturing



    主な利点:

    • 非接触処理により機械的ストレスが解消されます

    • 材料の膨張を自動で補正します

    • 一貫したビア形状を実現するインテリジェントなエネルギー制御

    • メンテナンスが容易なモジュール設計

    典型的な応用例 HDIマイクロビア穴あけ装置

    1. 通信機器:

      • 5G基地局用プリント基板

      • ミリ波アンテナボード

    2. 家電:

      • スマートフォン用マザーボード

      • ウェアラブルデバイス用フレキシブルボード

    3. 自動車用電子機器:

      • 車両レーダー基板

      • 新エネルギー車用制御モジュール

    4. 航空宇宙/軍事:

      • 高信頼性軍用プリント基板

      • 衛星通信ボード

    仕様はあくまで目安です。すべての機器はお客様のニーズに合わせて完全にカスタマイズ可能です!



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    • ロクセン と提携した場合、設備の発注から正式な生産までどのくらいの時間がかかりますか?

      全体的なスケジュールは、機器の仕様と生産ラインの規模によって異なります。スタンドアロン機器の場合、標準モデルの製造サイクルは45日で、総工期(出荷および設置を含む)は約60日です。カスタム機器の場合は、技術要件に応じてさらに30日かかります。 完全なラインソリューションについては、以下をご覧ください。 • 100MWレベルの生産ラインでは、計画、機器の製造、設置、試運転に約4か月かかります。 • GWレベルの生産ラインには約8ヶ月かかります 専任のマネージャーが円滑な連携を確保し、詳細なプロジェクトスケジュールを提供します。例:お客様の1GWペロブスカイト生産ラインは、機器製造と施設建設を並行して行うことで、予定より15日早く完成しました。
    • Locsenはペロブスカイトスタートアップ企業に適した設備とパートナーシップソリューションを提供していますか?

      ロクセン は、ペロブスカイトの新興企業向けに特別に設計された「段階的パートナーシップ プログラム」を提供しています。 初期の研究開発段階では、技術検証と製品の反復を容易にするために、必須のプロセス パッケージがバンドルされたコンパクトなパイロット規模の機器 (例: 10MW レーザー スクライビング システム) を提供します。 スケールアップ段階では、スタートアップはアップグレード特典を受けることができます。 • パイロット機器のコアモジュールは、生産ラインの機械に価値を減額して下取りすることができます。 • プロセス開発サポートや実験データの共有を含むオプションの技術協力 このプログラムにより、複数のスタートアップ企業が初期段階の投資リスクを軽減しながら、研究室からパイロット生産へとスムーズに移行できるようになりました。
    • Locsen社の装置は、さまざまなサイズのペロブスカイト太陽電池に対応できますか?サポートされる最大寸法はどれくらいですか?

      Locsen 社のレーザー機器は、サイズ互換性に優れており、10cm×10cm から 2.4m×1.2m までの範囲のペロブスカイト太陽電池を加工できます。 特大サイズの細胞処理(例:12m×2.4mの硬質基板)向けには、精度とスループットの両方を確保するために、マルチレーザーヘッド同期機能を備えたカスタマイズされたガントリー型レーザーシステムを提供しています。 • 実証済みの性能: 業界をリードするスクライビング精度 (±15μm) と均一性 (>98%) で 1.2m×0.6m のセル処理に成功 • モジュラー設計:交換可能な光学モジュールは、さまざまな厚さ(0.1〜6mm)に適応します。 • スマートキャリブレーション: AIを活用したリアルタイムビームアライメントにより基板の反りを補正
    • ロクセン はペロブスカイト太陽電池のすべての主要な製造段階に合わせてカスタマイズされたレーザー ソリューションを提供していますか?

      はい、ロクセン はペロブスカイト太陽電池の生産チェーン全体をカバーする包括的なレーザー加工ソリューションを提供しています。 P0レーザーマーキング:フィルム堆積後の細胞識別用 P1/P2/P3レーザースクライビング:精密パターン形成 • 透明導電層(P1) • ペロブスカイト活性層(P2) • 背面電極(P3) P4エッジアイソレーション:短絡を防止するためのミクロンレベルのエッジトリミング タンデムセルモジュール:マルチマテリアル層処理専用のレーザーエッチングシステム 当社の統合された機器エコシステムにより、すべてのレーザー加工要件が満たされます。 • 層間のアライメント精度≤20μm • 熱影響部を5μm以下に制御 • 研究開発からギガワット規模の生産までをサポートするモジュラープラットフォーム
    • ロクセン のツールは、バリアント ペロブスカイト配合に対してどのような組成許容範囲をサポートしていますか?

      Locsenのレーザーシステムは、多様なペロブスカイト組成に優れた適応性を発揮します。• 事前ロードされたパラメータ: レーザーレシピライブラリ内の主流の配合(例: FAPbI₃、CsPbI₃)に最適化された設定により、オペレータは即座にアクセスできます。• 研究開発サポート: 新しい組成(例: Snベースのペロブスカイト)については、当社のチームが以下を提供します: 72時間以内にカスタム波長/フルエンス校正を実施します。<1% PCE degradation post-processing • Smart Compensation: On-board spectroscopy modules monitor reflectivity in real-time, automatically adjusting: Pulse duration (20-500ns) Beam profile (Top-hat/Gaussian) Energy density (0.5-3J/cm²) Technical Highlights: ▸ Tolerance for ±15% stoichiometric variation in Pb:Sn ratios ▸ Support for 2D/3D hybrid phase patterning ▸ Non-contact processing avoids cross-contamination

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